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1N4007GP

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小279KB,共2页
制造商DAESAN
官网地址http://www.diodelink.com
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1N4007GP概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-204AL

1N4007GP规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料, DO-41, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大2 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

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1N4001GP THRU 1N4007GP
Features
· The plastic package carries Underwrites Laboratory
Flammability Classification 94V-0
· High current capability
· Low reverse leakage
· Glass passivated junction
· Low forward voltage drop
· High temperature soldering guaranteed : 350℃/10 seconds,
0.375"(9.5mm) lead length, 5 lbs, (2.3kg) tension
CURRENT 1.0 Ampere
VOLTAGE 50 to 1300 Volts
DO-41
0.107(2.7)
0.080(2.0)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
0.205(5.2)
0.166(4.2)
Mechanical Data
· Case : JEDEC DO-41 molded plastic body
· Terminals : Lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.012 ounce, 0.33 gram
0.034(0.9)
0.028(0.7)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate by 20%)
Symbols
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375"(9.5mm) lead length T
A
=75℃
Peak forward surge current 8.3ms half sine
wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum instantaneous forward voltage
at 1.0A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25℃
T
A
=100℃
JA
JL
C
J
T
J
T
STG
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
1N
4001GP
50
35
50
1N
4002GP
100
70
100
1N
4003GP
200
140
200
1N
4004GP
400
280
400
1.0
30.0
1.1
5.0
50.0
50.0
25.0
15.0
1N
4005GP
600
420
600
1N
4006GP
800
560
800
1N
4007GP
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
μA
Typical thermal resistance (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating and storage temperature range
℃/W
pF
-65 to +175
Notes:
(1) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
(2) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375"(9.5mm) lead length, P.C.B. mounted

1N4007GP相似产品对比

1N4007GP 1N4005GP 1N4006GP
描述 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 2 2 -
元件数量 1 1 -
加工封装描述 塑料, DO-41, 2 PIN PLASTIC, DO-41, 2 PIN -
状态 TRANSFERRED ACTIVE -
包装形状 ROUND -
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM -
端子形式 线 WIRE -
端子位置 AXIAL AXIAL -
包装材料 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY -
结构 单一的 SINGLE -
壳体连接 隔离 ISOLATED -
二极管元件材料 SILICON -
二极管类型 信号二极管 SIGNAL DIODE -
反向恢复时间最大 2 us 2 us -
最大重复峰值反向电压 1000 V 600 V -
最大平均正向电流 1 A 1 A -
出块手上的ufun开发板,付个邮费就行
580491580490 开发板相关资料可以看以下链接 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-497121-1-1.html https://bbs.eeworld.com.cn/thread-496568-1-1.html ...
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