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1N4005G

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小161KB,共2页
制造商PFS
官网地址http://www.ps-pfs.com/ENG/main.asp
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1N4005G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4005G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层PURE TIN
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流1 A

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HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
1N4001G THRU 1N4007G
FEATURES
Glass passivated chip junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed
260℃/10 secods,0.375”(9.5mm)lead length at 5 lbs(2.3kg) tension
DO-41
1.0(25.4)
MIN.
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA.
MECHANICAL DATA
.205(5.2)
.166(4.2)
.107(2.7) DIA.
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
Case: Transfer molded plastic
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant
Polarity: Color band denotes cathode end
Lead: Plated axial lead, solderable per MIL-STD-202E method 208C
Mounting position: Any
Weight: 0.012ounce, 0.33 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ambient temperature unless otherwise specified
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
SYMBOLS
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
V
RRM
50
100
200
400
600
800
1000
Maximum RMS Voltage
V
RMS
35
70
140
280
420
560
700
Maximum DC Blocking Voltage
V
DC
50
100
200
400
600
800
1000
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
I
R(AV)
C
J
R
θJA
T
J
,T
STG
1.0
30
1.1
5.0
50
30
15
50
-55 to +150
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
µA
µA
pF
/W
Maximum Average Forward Rectified Current(FIG.1)
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75℃
Peak Forward Surge Current
8.3mS single half sine wave superimposed on
rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage at
T
A
= 25℃
T
A
= 125℃
Maximum Full Load Reverse Current, full cycle
Average 0.375(9.5mm) lead length at T
L
=75℃
Typical Junction Capacitance (NOTE 1)
Typical Thermal Resistance (NOTE 2)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volits.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at. 375”(9.5mm)lead length, P.C. board mounted.
Web Site:
WWW.PS-PFS.COM

1N4005G相似产品对比

1N4005G 1N4004G 1N4001G 1N4003G 1N4002G 1N4007G 1N4006G
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 - - 2 -
元件数量 1 1 1 - - 1 -
加工封装描述 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料, DO-41, 2 PIN - - 塑料 PACKAGE-2 -
状态 ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE -
包装形状 ROUND - - -
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM - - LONG FORM -
端子形式 WIRE 线 线 - - 线 -
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL - - AXIAL -
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - - 塑料/环氧树脂 -
结构 SINGLE 单一的 单一的 - - 单一的 -
壳体连接 ISOLATED 隔离 隔离 - - 隔离 -
二极管元件材料 SILICON - - -
二极管类型 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 -
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V 50 V - - 1000 V -
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A - - 1 A -

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