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1N4006G

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小114KB,共2页
制造商DACHANG
官网地址http://www.dachang.com.cn
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1N4006G概述

SILICON, SIGNAL DIODE

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SIYU
R
普通塑封整流二极管
反向电压
50 ---1000 V
正向电流
1.0 A
DO-41
1N4001G ...... 1N4007G
General Purpose Plastic Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V
Forward Current 1.0 A
特征
Features
·玻璃钝化芯片
Glass Passivated chip
·反向漏电流½
Low reverse leakage
.034(0.9)
DIA
.028(0.7)
1.0(25.4)
MIN
.205(5.2)
.166(4.2)
.107(2.7)
DIA
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN
·正向浪涌承受½力较强
High forward surge capability
·高温焊接保证
High temperature soldering guaranteed:
260℃/10
秒,
0.375" (9.5mm)引线长度。
260℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
·引线可承受5 磅
(2.3kg)
拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension
·引线和管½皆符合ROHS标准 。
Lead and body according with ROHS standard
机械数据
Mechanical Data
Unit:inch(mm)
·端子: 镀锡½向引线
Terminals: Plated axial leads
·极性: 色环端为负极
Polarity: Color band denotes cathode end
·安装½½: 任意
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
Symbols
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
符号
单½
Unit
V
V
V
A
A
℃/W
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj, TSTG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
65
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
Symbols
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G
符号
V
F
单½
Unit
V
μA
最大正向电压
Maximum forward voltage
I
F
= 1.0A
TA= 25℃
TA=125℃
1.1
5.0
50
15
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
I
R
Cj
pF
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS

1N4006G相似产品对比

1N4006G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4002G 1N4007G 1N4001G
描述 SILICON, SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 - ACTIVE DISCONTINUED ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
二极管类型 - 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管
端子数量 - - 2 2 - 2 2
元件数量 - - 1 1 - 1 1
加工封装描述 - - 塑料 PACKAGE-2 GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 - 塑料 PACKAGE-2 塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状 - - ROUND -
包装尺寸 - - LONG FORM LONG FORM - LONG FORM LONG FORM
端子形式 - - 线 WIRE - 线 线
端子位置 - - AXIAL AXIAL - AXIAL AXIAL
包装材料 - - 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 - - 单一的 SINGLE - 单一的 单一的
壳体连接 - - 隔离 ISOLATED - 隔离 隔离
二极管元件材料 - - SILICON -
最大重复峰值反向电压 - - 400 V 600 V - 1000 V 50 V
最大平均正向电流 - - 1 A 1 A - 1 A 1 A
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