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1N4144

产品描述3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小149KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
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1N4144概述

3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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1N4139-1N4146
Plastic Silicon Rectifiers
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1200 V
CURRENT: 3.0 A
DO - 27
Features
Low cost
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Free, Alcohol, Isopropanol
and sim ilar solvents
Mechanical Data
Case: JEDEC DO-27,m olded plastic
Term inals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 gram s
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
1N
4139
Maxim um recurrent peak reverse voltage
Maxim um RMS voltage
Maxim um DC blocking voltage
Maxim um average forward rectified current
9.5m m lead length,
Peak forward surge current
10m s single half-sine-wave
superim posed on rated load
@T
J
=125
@T
A
=75
V
RRM
V
RMS
V
DC
50
35
50
1N
4140
100
70
100
1N
4141
200
140
200
1N
4142
400
280
400
3.0
1N
4143
600
420
600
1N
4144
800
560
800
1N
4145
1000
700
1000
1N
4146
1200
840
1200
UNITS
V
V
V
A
I
F(AV)
I
FSM
300.0
A
Maxim um instantaneous forward voltage
@ 3.0 A
Maxim um reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical therm al resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
V
F
I
R
C
J
R
JA
1.0
10.0
100.0
35
20
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
A
pF
/
W
Operating junction tem perature range
Storage tem perature range
2.Thermal resistance f rom junction to ambient.
T
J
T
STG
Note: 1.Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn

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