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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> 1N4003
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1N4003

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小531KB，共2页
制造商Chenda
官网地址http://www.szchenda.com
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1N4003概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4003规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ALF-2, DO-41, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状圆
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料硅
最大功耗极限1 W
二极管类型信号二极管
最大平均正向电流1 A

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1N4001 THRU 1N4007
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
DO-41
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
”
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.3)
DIA.
0.205(5.2)
0.166(4.2)
MECHANICAL DATA
1.0 (25.4)
MIN.
0.025 (0.65)
0.021 (0.55)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.012
ounce, 0.33 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N
4001
1N
4002
1N
4003
1N
4004
1N
4005
1N
4006
1N
4007
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
30.0
1.1
5.0
50.0
15.0
50.0
-50 to +150
Amps
Volts
µ
A
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375 (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
”

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描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
状态 TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE
包装形状 圆 圆 ROUND 圆 圆 圆 圆
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 线 WIRE 线 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 玻璃 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED
结构 单一的 单一的 SINGLE 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 隔离 隔离 ISOLATED 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料 硅 硅 SILICON 硅 硅 硅 硅
二极管类型 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
加工封装描述 ALF-2, DO-41, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN CASE R-1, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 - MINIATURE PACKAGE-2
端子涂层 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - 锡 铅 NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 600 V 800 V 400 V 1000 V 100 V -

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