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1N4003

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小156KB,共2页
制造商Kingtronics
官网地址http://www.kingtronics.com
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1N4003概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4003规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ALF-2, DO-41, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限1 W
二极管类型信号二极管
最大平均正向电流1 A

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Website: www.kingtronics.com
Email: info@kingtronics.com
Tel: (852) 8106 7033
Fax: (852) 8106 7099
1N4001 THRU 1N4007
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
Forward Current -
1.0 Ampere
FEATURES
◆The
plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
◆Construction
utilizes void-free molded plastic technique
◆Low
reverse leakage
◆High
forward surge current capability
◆High
temperature soldering guaranteed:
250℃/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.012
ounce, 0.33 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
1N
SYMBOLS
4001
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at TA=75℃
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current TA=25℃
at rated DC blocking voltage TA=100℃
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
1N
4002
1N
4003
1N
4004
1N
4005
1N
4006
1N
UNITS
4007
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
,T
STG
30.0
Amps
1.1
5.0
50.0
15.0
50.0
-65 to +175
Volts
uA
pF
/W
Note:
1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
1

1N4003相似产品对比

1N4003 1N4006 1N4004 1N4002 1N4001 1N4007 1N4005
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
状态 TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 ROUND
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 WIRE 线 线 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 玻璃 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 SINGLE 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的
壳体连接 隔离 ISOLATED 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
加工封装描述 ALF-2, DO-41, 2 PIN ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN CASE R-1, 2 PIN - MINIATURE PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2
端子涂层 - NOT SPECIFIED - 锡 铅 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 800 V 400 V 100 V - 1000 V 600 V
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