1N4006: 产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小35KB，共1页; 制造商KEXIN; 官网地址http://www.kexin.com.cn/html/index.htm

下载文档详细参数选型对比全文预览

1N4006在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	1N4006	-	-	点击查看	点击购买

1N4006概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 800 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4006规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN
状态	ACTIVE
包装形状	ROUND
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	WIRE
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	AXIAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE
壳体连接	ISOLATED
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压	800 V
最大平均正向电流	1 A

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

SMD Type

1A Rectifier Diodes

1N4001-1N4007

DO-214AC(SMA)

Diodes

Unit: mm

3.93

3.73

Features

Diffused Junction

High Current Capability and Low Forward Voltage Drop

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Reverse Leakage Current

1.575

1.397

4.597

3.988

2.896

2.489

1.67

1.47

5.283

4.775

2.38

2.18

5.49

5.29

Recommended

Land Pattern

2.438

1.981

1.524

0.762

0.203

0.051

0.305

0.152

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,

8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on

Rated Load (JEDEC method)

DC Blocking Voltage T

= 25

= 100

Forward Voltage @ I

= 1.0A

Typical Junction Capacitance

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Maximum DC Blocking Voltage Temperature

Operating and Storage Temperature Range

Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit

RRM

RMWM

R(RMS)

FSM

140

280

1.0

100

+150

-65 to 175

K/W

420

560

700

100

200

400

600

800

1000

STG

Marking

Part NO.

Marking

1N4001

1N4002

1N4003

1N4004

1N4005

1N4006

1N4007

www.kexin.com.cn

1N4006相似产品对比

	1N4006	1N4007	1N4005
描述	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
端子数量	2	2	2
元件数量	1	1	1
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN	塑料 PACKAGE-2	塑料 PACKAGE-2
状态	ACTIVE	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	ROUND	圆	圆
包装尺寸	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
端子形式	WIRE	线	线
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	SINGLE	单一的	单一的
壳体连接	ISOLATED	隔离	隔离
二极管元件材料	SILICON	硅	硅
二极管类型	SIGNAL DIODE	信号二极管	信号二极管
最大重复峰值反向电压	800 V	1000 V	600 V
最大平均正向电流	1 A	1 A	1 A
端子涂层	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多