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1N4006

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小590KB,共2页
制造商ETC1
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1N4006概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 800 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4006规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
最大重复峰值反向电压800 V
最大平均正向电流1 A

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1N4001 THRU 1N4007
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
DO-41
1.0 (25.4)
MIN.
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA.
0.205 (5.2)
0.160(4.1)
MECHANICAL DATA
Case
: JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals
: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
:0.012 ounce, 0.33 grams
1.0 (25.4)
MIN.
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375
(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N
4001
1N
4002
1N
4003
1N
4004
1N
4005
1N
4006
1N
4007
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30.0
1.1
5.0
50.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
15.0
50.0
-65 to +150
pF
C/W
C
Note:
1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375
(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

1N4006相似产品对比

1N4006 1N4007 1N4002 1N4001
描述 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1
状态 ACTIVE ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE
包装形状 ROUND
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 WIRE 线 线 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED
结构 SINGLE 单一的 单一的 单一的
壳体连接 ISOLATED 隔离 隔离 隔离
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 信号二极管
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 - MINIATURE PACKAGE-2
端子涂层 NOT SPECIFIED - 锡 铅 NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 100 V -
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