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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4006S
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1N4006S

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB，共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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1N4006S概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4006S规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N4001S thru 1N4007S
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Ampere
A-405
FEATURES
●
Low cost
●
Diffused junction
●
Low forward voltage drop
●
Low reverse leakage current
●
High current capability
●
The plastic material carries UL recognition 94V-0
1.0(25.4)
MIN.
.028(0.7)
.020(0.5)
DIA.
.205(5.2)
MAX
.107(2.7)
DIA.
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA
●
Case: JEDEC A-405 molded plastic
●
Polarity: Color band denotes cathode
●
Weight: 0.008 ounces , 0.22 grams
●
Mounting position :Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed On Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=75
℃
SYMBOL 1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
30
1.0
5.0
50
15
26
-55 to +125
-55 to +150
A
V
μA
pF
℃/W
℃
℃
NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2.Thermal resistance junction to case
~ 10 ~

1N4006S相似产品对比

1N4006S 1N4007S 1N4005S
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 600 V
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL

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求问该电路
请问这个电路如何工作的，有什么作用？ 本帖最后由 leif_qian 于 2010-11-9 11:13 编辑 ]...
leif_qian 模拟电子
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