TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | New Jersey Semiconductor |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved