1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | New Jersey Semiconductor |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
最大反向恢复时间 | 2 µs |
1N4248 | 1N4247 | 1N4246 | 1N4245 | 1N4249 | |
---|---|---|---|---|---|
描述 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | 600 V | 400 V | 200 V | 1000 V |
最大反向恢复时间 | 2 µs | 2 µs | 2 µs | 2 µs | 2 µs |
厂商名称 | New Jersey Semiconductor | - | New Jersey Semiconductor | New Jersey Semiconductor | New Jersey Semiconductor |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved