USL1A ... USL1M
USL1A ... USL1M
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-02-05
Nominal current – Nennstrom
0.6
±0.15
±0.25
1A
50...1000 V
SOD-123FL
0.02 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
0.2
±0.1
2.8
±0.2
1.3
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
3.7
±0.2
Type
Code
±0.2
1.8
Dimensions - Maße [mm]
Green Molding
Halogen-Free
Maximum ratings
Type
Typ
USL1A
USL1B
USL1D
USL1G
USL1J
USL1K
USL1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FSM
i
2
t
Grenzwerte
Marking
Kennzeichnung
UA
UB
UD
UG
UJ
UK
UM
1 A
1
)
23/25 A
2.6 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
USL1A ... USL1M
Characteristics
Type
Typ
USL1A...US1D
USL1G
USL1J...USL1M
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
1
)
< 50
< 50
< 75
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
at / bei
I
F
[A]
< 1.0
< 1.4
< 1.7
T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
T
j
= 100°C V
R
= V
RRM
I
R
I
R
R
thA
1
1
1
< 1 µA
< 100 µA
< 180 K/W
2
)
120
[%]
100
10
2
[A]
10
80
1
60
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
T
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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