Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, HERMETIC SEALED, LCC-52
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, LCC-52 |
| 针数 | 52 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| 其他特性 | BATTERY BACKUP OPERATION |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N52 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.05 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 52 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC52,.75SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.2098 mm |
| 最大待机电流 | 0.015 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 19.05 mm |
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