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RS1G

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小531KB,共2页
制造商Chenda
官网地址http://www.szchenda.com
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RS1G概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

RS1G规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型信号二极管

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RS1A THRU RS1M
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
DO-214AC/SMA
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds at terminals
Glass passivated chip junction
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
Case
: JEDEC DO-214AC molded plastic body over passivated chip
Terminals
: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
:0.002 ounce, 0.07 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
=90 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
RS1A RS1B RS1D RS1G RS1J
RS1K RS1M
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
150
30.0
1.3
5.0
50.0
250
15.0
50.0
-50 to +150
500
Amps
Volts
µ
A
ns
pF
C/W
C
Note:1.Reverse
recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas

RS1G相似产品对比

RS1G RS1B RS1D RS1M RS1K RS1J RS1A
描述 SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC SIGNAL DIODE 0.7 A, SILICON, SIGNAL DIODE
状态 ACTIVE ACTIVE - TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE ACTIVE
二极管类型 信号二极管 SIGNAL DIODE - 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 SIGNAL DIODE
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