DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
| 针数 | 96 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.255 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 700 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 96 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 1.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.025 A |
| 最大压摆率 | 0.38 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 7.5 mm |
| H5TQ1G63BFR-14C | H5TQ1G63BFR-12C | H5TQ1G63BFR-11C | H5TS1G63BFR-11C | H5TS1G63BFR-12C | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96 | DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96 | DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96 | DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96 | DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE, FBGA-96 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
| 针数 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.255 ns | 0.255 ns | 0.18 ns | 0.18 ns | 0.255 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 700 MHz | 800 MHz | 900 MHz | 900 MHz | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 |
| 长度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 |
| 字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA96,9X16,32 | BGA96,9X16,32 | BGA96,9X16,32 | BGA96,9X16,32 | BGA96,9X16,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.025 A | 0.025 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
| 最大压摆率 | 0.38 mA | 0.42 mA | 0.51 mA | 0.56 mA | 0.51 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V | 1.89 V | 1.89 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V | 1.71 V | 1.71 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm | 7.5 mm |
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