H5TC4G83AFR-RDR,H5TC4G83AFR-RDR pdf中文资料,H5TC4G83AFR-RDR引脚图,H5TC4G83AFR-RDR电路-Datasheet-电子工程世界

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H5TC4G83AFR-RDR: 产品描述DDR DRAM, 512MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78; 产品类别存储存储; 文件大小459KB，共34页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H5TC4G83AFR-RDR概述

DDR DRAM, 512MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78

H5TC4G83AFR-RDR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	TFBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
长度	11.1 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	78
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	512MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.35 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9 mm

H5TC4G83AFR-RDR相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 512MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 256MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96	DDR DRAM, 256MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96	DDR DRAM, 256MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96	DDR DRAM, 256MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96	DDR DRAM, 512MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 512MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78	DDR DRAM, 512MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TFBGA, BGA78,9X13,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA78,9X13,32	TFBGA, BGA78,9X13,32	TFBGA, BGA78,9X13,32
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknown	unknown
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.225 ns	0.3 ns	0.255 ns	0.225 ns	0.195 ns	0.3 ns	0.255 ns	0.195 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	533 MHz	667 MHz	800 MHz	933 MHz	533 MHz	667 MHz	933 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78
长度	11.1 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	11.1 mm	11.1 mm	11.1 mm
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bi	4294967296 bi	4294967296 bi	4294967296 bi	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	16	16	16	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	78	96	96	96	96	78	78	78
字数	536870912 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	512000000	256000000	256000000	256000000	256000000	512000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	512MX8	256MX16	256MX16	256MX16	256MX16	512MX8	512MX8	512MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32	BGA96,9X16,32	BGA96,9X16,32	BGA96,9X16,32	BGA96,9X16,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.135 mA	0.17 mA	0.195 mA	0.2 mA	0.205 mA	0.11 mA	0.13 mA	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V	1.283 V
标称供电电压 (Vsup)	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V	1.35 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm

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