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WS512K8-20I

产品描述SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
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文件大小223KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WS512K8-20I概述

SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32

WS512K8-20I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
长度42.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.13 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

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