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WMD4M4-80F1C

产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, CDSO24,
产品类别存储    存储   
文件大小421KB,共10页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WMD4M4-80F1C概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, CDSO24,

WMD4M4-80F1C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间80 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDSO-G24
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码SOP
封装等效代码SOP24/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新NO
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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