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GF1J

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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GF1J概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA

GF1J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

GF1J相似产品对比

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描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA
二极管类型 RECTIFIER DIODE 信号二极管 信号二极管 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
元件数量 1 1 1 1 1 1
最大重复峰值反向电压 600 V 50 V 50 V 50 V 200 V 400 V
表面贴装 YES Yes Yes YES YES YES
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) - - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknow - - unknow unknow unknow
Is Samacsys N - - N N N
配置 SINGLE - - SINGLE SINGLE SINGLE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - - 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 30 A - - 30 A 30 A 30 A
最高工作温度 175 °C - - 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 1 A - - 1 A 1 A 1 A
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 - - 1 1 1
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