71V424S10PHI8,71V424S10PHI8 pdf中文资料,71V424S10PHI8引脚图,71V424S10PHI8电路-Datasheet-电子工程世界

71V424S10PHI8: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小85KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

71V424S10PHI8概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

71V424S10PHI8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

71V424S10PHI8相似产品对比

	71V424S10PHI8	71V424S10PHI	71V424S10YI8	71V424S10YI
描述	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOJ,	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
针数	44	44	36	36
Reach Compliance Code	_compli	_compli	unknown	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	18.41 mm	18.41 mm	23.495 mm	23.495 mm
内存密度	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	44	44	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3.683 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON
湿度敏感等级	3	3	-	3
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装等效代码	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	-	SOJ36,.44
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	-	0.02 A
最小待机电流	3 V	3 V	-	3 V
最大压摆率	0.18 mA	0.18 mA	-	0.18 mA

71V424S10PHI8

71V424S10PHI8概述

71V424S10PHI8规格参数

71V424S10PHI8相似产品对比

推荐资源