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SSA23L

产品描述2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SSA23L概述

2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC

SSA23L规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.38 V
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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SSA23L, SSA24
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Guardring for overvoltage protection
• Low power losses, high efficiency
• Low forward voltage drop
• High surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
DO-214AC (SMA)
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage high frequency inverters,
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection
applications.
2.0 A
30 V, 40 V
60 A
11.25 mJ
0.38 V, 0.42 V
150 °C
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
T
J
max.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes the cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified currentat T
L
(fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single halfsine-wave
superimposed on rated load
Non-repetitive avalanche energy at T
A
= 25 °C, I
AS
= 1.5 A, L = 10 mH
Voltage rate of change (rated V
R
)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
E
AS
dV/dt
T
J
T
STG
SYMBOL
SSA23L
23L
30
21
30
2.0
60
11.25
10 000
- 65 to + 150
- 65 to + 150
SSA24
S24
40
28
40
UNIT
V
V
V
V
A
A
mJ
V/μs
°C
°C
Revision: 17-Dec-12
Document Number: 88882
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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