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VI10150C-E3/4W

产品描述5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小166KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VI10150C-E3/4W概述

5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

VI10150C-E3/4W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
Base Number Matches1

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New Product
V10150C, VF10150C, VB10150C & VI10150C
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low V
F
= 0.63 V at I
F
= 3 A
TMBS
®
TO-220AB
ITO-220AB
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power
losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB
and TO-262AA package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TO-262AA
K
2
V10150C
PIN 1
PIN 3
3
1
VF10150C
PIN 1
PIN 3
PIN 2
2
3
1
PIN 2
CASE
TO-263AB
K
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency inverters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc
converters and reverse battery protection.
1
2
3
2
1
VB10150C
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
PIN 1
PIN 3
VI10150C
PIN 2
K
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and
TO-262AA
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class
1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting Torque:
10 in-lbs maximum
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 5 A
T
J
max.
2x5A
150 V
60 A
0.69 V
150 °C
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)
per device
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
V
AC
T
J
, T
STG
V10150C
VF10150C
10
5
60
1500
- 55 to + 150
VB10150C
VI10150C
UNIT
V
A
A
V
°C
150
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Isolation voltage (ITO-220AB only)
from terminal to heatsink t = 1 min
Operating junction and storage temperature range
Document Number: 89068
Revision: 19-May-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1

VI10150C-E3/4W相似产品对比

VI10150C-E3/4W V10150C-E3/4W
描述 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-262AA TO-220AB
包装说明 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 60 A 60 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 5 A 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE

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