电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

H5ANAG8NCMR-WMC

产品描述DDR DRAM,
产品类别存储    存储   
文件大小713KB,共43页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

H5ANAG8NCMR-WMC概述

DDR DRAM,

H5ANAG8NCMR-WMC规格参数

参数名称属性值
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度11 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数2147483648 words
字数代码2000000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织2GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.26 V
最小供电电压 (Vsup)1.14 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度7.5 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 40  234  627  648  1451 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved