DDR DRAM,
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | TFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B78 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 17179869184 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 78 |
字数 | 2147483648 words |
字数代码 | 2000000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2GX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.26 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 7.5 mm |
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