VB20120C-E3/4W,VB20120C-E3/4W pdf中文资料,VB20120C-E3/4W引脚图,VB20120C-E3/4W电路-Datasheet-电子工程世界

VB20120C-E3/4W: 产品描述10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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VB20120C-E3/4W概述

10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	D2PAK
包装说明	R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.72 V
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	120 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	120 V
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

	VB20120C-E3/4W	V20120C	VF20120C	VB20120C
描述	10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB	10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB	10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB	10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

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