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SX37

产品描述3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小41KB,共2页
制造商ETC1
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SX37概述

3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC

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DATA SHEET
SX32~SX39
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE- 20 to 90 Volts CURRENT- 3.0 Amperes
SMA / DO-214AC
Unit: inch ( mm )
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• High temperature soldering guaranteed: 260°C /10 seconds
at terminals
.114 (2.90)
.098 (2.50)
.062 (1.60)
.055 (1.40)
.181 (4.60)
.157 (4.00)
.012 (.305)
.006 (.152)
.096 (2.44)
.078 (2.00)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
.060 (1.52)
.030 (0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208 (5.28)
.188 (4.80)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load.
SYMBOLS
SX32
20.0
14.0
20.0
SX33
30.0
21.0
30.0
SX34
40.0
28.0
40.0
SX35
50.0
35.0
50.0
3.0
SX36
60.0
42.0
60.0
SX38
80.0
56.0
80.0
SX39
UNITS
90.0
71.0
90.0
V
V
V
A
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
at T
L
(See figure 1)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superim-
posed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A (Note 1)
Maximum DC Reverse Current (Note 1) Ta= 25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I(AV)
I
FSM
V
F
I
R
0.50
80.0
0.75
0.5
20.0
0.85
A
V
mA
mA
at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Thermal Resistance(Note 2)
Ta=100°C
RθJL
RθJA
17.0
°C/W
55.0
-50 to +150
-50 to +150
°C
°C
Operating and Storage Temperature Range T
J
Storage Temperature Range
NOTES:
A.Pulse Test with PW =300µsec, 2% Duty Cycle.
T
J
T
STG
B.Mounted on P.C. Board with 14mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
DATE : OCT.03.2002
PAGE . 1

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描述 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 33 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC 36 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE 3 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC
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