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SSC53L

产品描述5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小52KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SSC53L概述

5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

SSC53L规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.38 V
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流5 A
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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SSC53L and SSC54
New Product
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier
DO-214AB (SMC)
Cathode Band
Reverse Voltage
30 & 40V
Forward Current
5.0A
Mounting Pad Layout
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
0.185 MAX.
(4.69 MAX.)
0.126 MIN.
(3.20 MIN.)
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
0.320 REF
Dimensions in inches
and (millimeters)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
Features
Low power loss, high efficiency
Low profile surface mount package
Built-in strain relief
For use in low voltage high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
• Guardring for overvoltage protection
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Parameter
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
(See Fig. 1)
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-214AB molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per
MIL-STD750, Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Polarity:
Color band denotes cathode end
Weight:
0.007 oz., 0.25 g
A
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJA
R
ΘJL
dv/dt
T
J
T
STG
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
= 25°C unless otherwise noted)
SSC53L
53L
30
21
30
5.0
175
60
20
10,000
–65 to +150
–65 to +150
SSC54
S54
40
28
40
Unit
V
V
V
A
A
°C/W
V/µs
°C
°C
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
Typical thermal resistance
(2)
Voltage rate of change (rated V
R
)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Electrical Characteristics
Parameter
Maximum instantaneous
Forward voltage at 5.0A
(1)
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
(1)
Symbol
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
F
I
R
Typ.
0.42
0.33
45
Max.
0.45
0.38
0.7
65
Typ.
0.45
0.36
40
Max.
0.49
0.42
0.5
60
Unit
V
mA
Notes:
(1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle
(2) Aluminum substrate mounted
Document Number 88885
16-Jun-04
www.vishay.com
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