C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小放大系数 | 13.1 dB |
最小击穿电压 | 9 V |
加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-3 |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | FLAT |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | SOURCE |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | HETERO-JUNCTION |
操作模式 | DEPLETION |
晶体管类型 | RF SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | 0.4000 A |
最高频带 | C BAND |
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