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IS67WVE2M16DBLL-70BLA1

产品描述Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
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文件大小605KB,共28页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS67WVE2M16DBLL-70BLA1概述

Pseudo Static RAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48

IS67WVE2M16DBLL-70BLA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6 mm

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