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SMBJ170A

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小235KB,共4页
制造商Meritek Electronics
官网地址http://www.meritekusa.com
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SMBJ170A在线购买

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SMBJ170A概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AA

SMBJ170A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Meritek Electronics
零件包装代码DO-214AA
包装说明SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压209 V
最小击穿电压189 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压170 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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Transient
SMBJ
Series
MERITEK
UL E223045
F
EATURES
For surface mounted applications in order to optimize board space.
Low profile package.
Built-in strain relief.
Glass passivated junction.
Low inductance.
Excellent clamping capability.
Repetition Rate (duty cycle): 0.01%.
Fast response time: typically less than 1.0ps from 0
volt
to
BV
for
Unidirectional
types.
Typical I
R
less than 1μA above 10V.
High Temperature soldering: 260°C/10 seconds at terminals.
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability 94V-O.
SMB/DO-214AA
M
ECHANICAL
D
ATA
M
DO-214AA. Molded plastic
Case: JEDEC DO -201 Molded Plastic.
over glass passivated junction.
Terminal:
Axial
plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026.
Terminals:
Solder
leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026.
band
e
( (i s
n o tes cathode except Bipolar.
Polarity: Color and d
denotes cathode except
Bidirectional.
Standard
Position: Any.
Mounting
Packaging: 12mm tape (EIA STD RS-481).
Weight: 0.003 ounce, 0.093 grams.
D
EVICES
F
OR
B
IPOLAR
A
PPLICATION
For
Bidirectional
use C or CA suffix for type SMBJ5.0 through type SMBJ440 (e.g. SMBJ5.0CA, SMBJ440CA);
Electrical
characteristics apply in both directions.
M
AXIMUM
R
ATINGS
C
HARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
RATING
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000 s waveform. (Note 1,
Note 2,
Fig. 1)
Peak Pulse Current on 10/1000 s waveform. (Note 1 Fig. 3)
Steady State Power Dissipation at T
L
=75
(Note
2,
Fig. 5)
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed
on Rated Load.
(JEDEC
Method) (Note
3,
Fig. 6)
Operating junction and Storage Temperature Range
.
Lead length .375” (9.5mm).
SYMBOL
P
PPM
VALUE
Minimum
600
See
Table
5.0
100
-65 to
+150
UNIT
Watts
Amps
Watts
I
PPM
P
M(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
Amps
Notes: 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.
3
and derated above T
A
= 25 per Fig.
2.
N
2. Mounted on 5.0mm x 5.0mm (0.03mm thick) Copper Pads to each terminal
.
2
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
.
All specifications are subject to change without notice.
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