POWER, FET
POWER, 场效应晶体管
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 290 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SIHFZ48L-E3 | SIHFZ48S-GE3 | SIHFZ48L | SIHFZ48S-E3 | IRFZ48S_11 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | POWER, FET | POWER, FET | POWER, FET | POWER, FET | POWER, FET |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | - | Vishay(威世) | - |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ | 100 mJ | - | 100 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | - | 60 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 50 A | 50 A | - | 50 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 50 A | 50 A | - | 50 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω | 0.018 Ω | - | 0.018 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-263AB | - | TO-263AB | - |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 2 | - | 2 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - | 175 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 190 W | 190 W | - | 190 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 290 A | 290 A | - | 290 A | - |
| 表面贴装 | NO | YES | - | YES | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | - | GULL WING | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON | - |
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