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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFU320-E3
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SIHFU320-E3

产品描述3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小806KB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHFU320-E3概述

3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

SIHFU320-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）160 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.1 A
最大漏极电流 (ID)3.1 A
最大漏源导通电阻1.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
20
3.3
11
Single
D
DPAK
(TO-252)
D
D
FEATURES
400
1.8
•
•
•
•
•
•
•
•
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Surface mount (IRFR320,SiHFR320)
Straight lead (IRFU320,SiHFU320)
Available
Available in tape and reel
Fast switching
Ease of paralleling
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
IPAK
(TO-251)
DESCRIPTION
G
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR320-GE3
IRFR320PbF
SiHFR320-E3
DPAK (TO-252)
SiHFR320TRL-GE3
a
IRFR320TRLPbF
a
SiHFR320TL-E3
a
DPAK (TO-252)
SiHFR320TR-GE3
a
IRFR320TRPbF
a
DPAK (TO-252)
-
IRFR320TRRPbF
a
SiHFR320TR-E3
a
IPAK (TO-251)
SiHFU320-GE3
IRFU320PbF
SiHFU320-E3
SiHFR320T-E3
a
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB
Repetitive Avalanche
Mount)
e
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
Mount)
e
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
Temperature)
d
Single Pulse Avalanche Energy
b
Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, starting T
J
= 25 °C, L = 29 mH, R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 3.1 A (see fig. 12).
c. I
SD
≤
3.1 A, dI/dt
≤
65 A/μs, V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
S14-2355-Rev. E, 08-Dec-14
Document Number: 91273
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
400
± 20
3.1
2.0
12
0.33
0.020
160
3.1
4.2
42
2.5
4.0
-55 to +150
260
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V

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SIHFU320-E3 SIHFR320 SIHFR320-E3 SIHFR320T SIHFR320T-E3 SIHFR320TL SIHFR320TL-E3 SIHFR320TR SIHFR320TR-E3 SIHFU320
描述 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 3.1 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合
零件包装代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ 160 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A
最大漏极电流 (ID) 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A 3.1 A
最大漏源导通电阻 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e3 e0 e3 e0 e3 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 2 2 2 2 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 240 260 240 260 240 260 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A 12 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES YES YES YES YES YES YES NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 40 30 40 30 40 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)

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