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SIHFR224TL: 产品描述VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小347KB，共11页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SIHFR224TL概述

VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK

VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N 通道场效应管; 250V; 3.8A; D-PAK

SIHFR224TL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-252
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3.8 A
最大漏极电流 (ID)	3.8 A
最大漏源导通电阻	1.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	15 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

DS(on)

()

(Max.) (nC)

(nC)

Configuration

= 10 V

2.7

7.8

Single

FEATURES

250

1.1

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR224, SiHFR224)

• Straight Lead (IRFU224, SiHFU224)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Material categorization: For definitions of compliance

please see

www.vishay.com/doc?99912

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

D S

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs form Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave solderig techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

DPAK (TO-252)

SiHFR224-GE3

IRFR224PbF

SiHFR224-E3

DPAK (TO-252)

SiHFR224TR-GE3

IRFR224TRPbF

SiHFR224T-E3

DPAK (TO-252)

SiHFR224TRL-GE3

IRFR224TRLPbF

SiHFR224TL-E3

IPAK (TO-251)

SiHFU224-GE3

IRFU224PbF

SiHFU224-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain

Current

at 10 V

= 25 °C

= 100 °C

SYMBOL

LIMIT

250

± 20

3.8

2.4

0.33

0.020

= 25 °C

dV/dt

, T

stg

130

3.8

4.2

2.5

4.8

- 55 to + 150

260

W/°C

V/ns

°C

UNIT

Linear Derating Factor

Linear Derating Factor (PCB Mount)

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche

Current

Energy

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)

Peak Diode Recovery dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

for 10 s

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V

= 50 V; starting T

= 25 °C, L = 14 mH, R

= 25

,

= 3.8 A (see fig. 12).

c. I



3.8 A, dI/dt



90 A/μs, V



, T



150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S13-0165-Rev. C, 04-Feb-13

Document Number: 91271

For technical questions, contact:

hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT

www.vishay.com/doc?91000

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	SIHFR224TL	SIHFR224	SIHFR224-E3	SIHFR224T	SIHFR224T-E3	SIHFR224TL-E3	SIHFU224	SIHFU224-E3
描述	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK	VISHAY SILICONIX - IRFR224PBF - N CHANNEL MOSFET; 250V; 3.8A; D-PAK
是否无铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-251	TO-251
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ	130 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A
最大漏极电流 (ID)	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A	3.8 A
最大漏源导通电阻	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω	1.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-252	TO-251	TO-251
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e0	e0	e3	e0	e3	e3	e0	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	260	240	260	260	240	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	15 A	15 A	15 A	15 A	15 A	15 A	15 A	15 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	40	30	40	40	30	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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