datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFR220TL
PDF数据手册
文档预览

SIHFR220TL

产品描述4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小797KB，共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SIHFR220TL概述

4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

SIHFR220TL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）230 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.8 A
最大漏极电流 (ID)4.8 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)19 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
IRFR220, IRFU220, SiHFR220, SiHFU220
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
(Max.) (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
14
3.0
7.9
Single
D
FEATURES
200
0.80
•
•
•
•
•
•
•
•
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
G
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Surface mount (IRFR220, SiHFR220)
Straight lead (IRFU220, SiHFU220)
Available
Available in tape and reel
Fast switching
Ease of paralleling
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W
are possible in typical surface mount applications.
G
S
G
D S
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
DPAK (TO-252)
SiHFR220-GE3
IRFR220PbF
DPAK (TO-252)
SiHFR220TRL-GE3
IRFR220TRLPbF
a
DPAK (TO-252)
-
IRFR220TRPbF
a
DPAK (TO-252)
-
IRFR220TRRPbF
a
IPAK (TO-251)
SiHFU220-GE3
IRFU220PbF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a
Linear Derating Factor
Linear Derating Factor (PCB Mount)
e
Single Pulse Avalanche Energy
b
Repetitive Avalanche
Current
a
T
C
= 25 °C
mount)
e
T
A
= 25 °C
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak
temperature)
d
for 10 s
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, starting T
J
= 25 °C, L = 14 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 4.8 A (see fig. 12).
c. I
SD
5.2 A, dI/dt
95 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S15-2678-Rev. F, 16-Nov-15
Document Number: 91270
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
LIMIT
200
± 20
4.8
3.0
19
0.33
0.020
161
4.8
4.2
42
2.5
5.0
-55 to +150
260
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V

SIHFR220TL相似产品对比

SIHFR220TL SIHFR220 SIHFR220-E3 SIHFR220T SIHFR220T-E3 SIHFR220TL-E3 SIHFR220TR SIHFR220TR-E3 SIHFU220 SIHFU220-E3
描述 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 4.6 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 不符合 符合 不符合 符合
零件包装代码 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ 230 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A
最大漏极电流 (ID) 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A 4.8 A
最大漏源导通电阻 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω 0.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0 e3 e0 e3 e3 e0 e3 e0 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 260 240 260 260 240 260 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W 42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A 19 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40 30 40 40 30 40 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -

推荐资源

基于PFC控制器L6564的应用电路

NEMOTO NAP-66A型煤气传感器应用电路

具有灵敏栅感性负载的双向可控硅电路

过电压保护电路实例电路图a

智能型“大哥大”电池充电器电路

数字压控振荡器电路图

用J-LINK调试STM32F101VB的问题,急救!!!
第一次仿真调试ST的例子,GPIO的EXAMPLE:进行了几次都很正常,intmain(void){#ifdefDEBUGdebug();#endif/*Configurethesystemclocks*/RCC_Configuration();/*NVICConfiguration*/NVIC_Config ......
dlj0521 stm32/stm8
helper2416_modbus_主从机测试_支持TCP/RTU
Modbus是一种串行通信协议,是Modicon于1979年为使用可编程逻辑控制器PLC而发表的. MODBUS是工业领域通信协议的业界标准,并且现在是工业电子设备之间相当常用的连接方式. Modbus比其他通信协 ......
lyzhangxiang 嵌入式系统
TL084运放多级放大的问题
用TL084做一个多级放大电路，在电压增益为60dB的时候，带宽要求为100Hz到40KHz。这是基本要求。可是我看到TL084的增益带宽积在4MHz左右，多级放大电路我不知道带宽怎么求，麻烦各位告知一二，或 ......
song430 模拟与混合信号
<嵌入式>之无线模块技术
模块是有着采集、报警、通讯、设定、控制等功能的工业模块。该系列模块外形简洁美观、功能全面；包括通讯系列模块、采集系列模块、控制系列模块、多通道系列模块、多功能系列模块、专用采集系列 ......
dj0930 嵌入式系统
采用ADuC812实现远程环境监测信息系统下位机的设计
摘 要：本文给出了一种基于ADuC812实现远程环境监测信息系统下位机的设计方法,介绍了ADuC812的优点以及下位机数据采集系统硬件电路的设计和软件实现。利用ADuC812具有24位寻址的能力,采用闪速存 ......
shower.xu ADI 工业技术
我想我不适合再买火车票了
过年回家因为没抢到卧铺，只能买白天的硬座回家，耽误了一天假期不说还是慢车，从北京到哈尔滨竟要17个小时。 想着快开车的时候会有人退票就用手机抢了下，竟然抢到了，立刻付款。 在同事前 ......
eric_wang 聊聊、笑笑、闹闹
器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

  1. 2200CA1F50223HA
  2. 2200AAG2001F2GB
  3. 74000Y-23D-32SD
  4. CPS19-LA00A10-SNCCWTWF-AI0WRVAR-W1047-S
  5. 2225Y1K20150KCT
  6. MF60-1350-CB25W
  7. KF-4700600
  8. TMM-138-04-H-D-SM-37-A
  9. AME8500CEEVCD21
  10. BC338-16
  11. 3.0SMCJ6.5
  12. P4SMAJ33T/R13

开源项目推荐更多

  1. RHF350评估板
  2. LTC1335 RS232/EIA562/RS485收发器典型应用电路
  3. LF33CDT-TR 3.3V 极低压降稳压器的典型应用，带开关
  4. 用于远程控制的 PSoC 嵌入式系统
  5. AD9625-2.0EBZ，基于 AD9625 12 位、2 GSPS 模数转换器的评估板
  6. EVAL-ADE7978EBZ，评估 ADE7933 隔离式计量芯片组的评估板
  7. LM224DR2G高阻差分放大器典型应用
  8. 使用 ON Semiconductor 的 LV47011P 的参考设计
  9. LTC1625CS 演示板，无 RSENSE 电流模式开关稳压器，4.5V 至 28Vin、3.3V 或 5V @ 4.5A Vout（通孔帽）
  10. AM2F-1215SZ 15V 2 瓦 DC-DC 转换器的典型应用

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 在船舶共轨实验平台上使用Mbed LPC1768
  2. 四川“十四五”新基建规划出台，到2025年5G基站数量25万个
  3. 如何借助Virtual Antenna™技术克服Wi-Fi产品天线与射频设计挑战
  4. 索尼宣布堆叠式图像传感器技术最新突破
  5. 浅析自动驾驶 - 车道偏移预警系统
  6. 10.6亿元颀中先进封装测试生产基地项目落户合肥，明年开建
  7. VSORA推出Tyr芯片系列 支持L3-L5级自动驾驶
  8. 全新一代骁龙8移动平台助力荣耀Magic V开启折叠屏主力机时代
  9. Poco X4 Pro 5G与Poco M4 Pro发布 均采用AMOLED显示屏

技术资料推荐更多

  1. IPC-2223B柔性电路板设计标准
  2. EMC设计秘籍
  3. PCB工艺设计规范
  4. 3842电路的保护
  5. 強化切換式電源調整器靜電洩放耐受力的電路板佈局
  6. 反激变换器各点的电压电流计算
  7. 基于LLC谐振变换器的车载电源充电器研究设计
  8. 合肥工业大学自动控制原理真题答案
  9. Boost变压器串并联型LLC级联变换器研究
  10. FSFR-XS系列LLC半桥谐振转换器

随便看看

  1. 用J-LINK调试STM32F101VB的问题,急救!!!
  2. helper2416_modbus_主从机测试_支持TCP/RTU
  3. TL084运放多级放大的问题
  4. <嵌入式>之无线模块技术
  5. 采用ADuC812实现远程环境监测信息系统下位机的设计
  6. 我想我不适合再买火车票了
  7. 请问各位电源板上三极管T2095A坏了,用什么可以代替,并且市场上容易购买
  8. EEWORLD大学堂----TI LED lighting在汽车中的运用
  9. 想测正弦信号的频率？用捕获捕捉还是捕获比较？
  10. 32位的定点dsp有吗？？

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 598  2428  1816  808  2424  22  48  26  28  40 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved