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SIHFPG50-E3

产品描述POWER, FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHFPG50-E3概述

POWER, FET

POWER, 场效应晶体管

SIHFPG50-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)800 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.1 A
最大漏极电流 (ID)6.1 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SIHFPG50-E3相似产品对比

SIHFPG50-E3 SIHFPG50
描述 POWER, FET POWER, FET
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TO-247 TO-247
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 800 mJ 800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.1 A 6.1 A
最大漏极电流 (ID) 6.1 A 6.1 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 2 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 190 W 190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 24 A 24 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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