SIHFL014T-E3,SIHFL014T-E3 pdf中文资料,SIHFL014T-E3引脚图,SIHFL014T-E3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHFL014T-E3

SIHFL014T-E3: 产品描述2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小298KB，共9页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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SIHFL014T-E3概述

2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-261AA

SIHFL014T-E3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.7 A
最大漏极电流 (ID)	2.7 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	22 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

SIHFL014T-E3相似产品对比

	SIHFL014T-E3	IRFL014_10	SIHFL014-GE3	SIHFL014TR-GE3	SIHFL014	SIHFL014-E3	SIHFL014T
描述	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4	4	4	4
表面贴装	YES	Yes	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	双	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	开关	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	硅	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Vishay(威世)	-	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	-	4	4	4	4	4
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ	-	-	-	100 mJ	100 mJ	100 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	-	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.7 A	-	2.7 A	2.7 A	2.7 A	2.7 A	2.7 A
最大漏极电流 (ID)	2.7 A	-	2.7 A	2.7 A	2.7 A	2.7 A	2.7 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	-	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e0	e3	e0
湿度敏感等级	1	-	1	1	-	1	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	240	260	240
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.1 W	-	3.1 W	3.1 W	3.1 W	3.1 W	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	22 A	-	-	-	22 A	22 A	22 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	40	40	30	40	30

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