SIHFI840G,SIHFI840G pdf中文资料,SIHFI840G引脚图,SIHFI840G电路-Datasheet-电子工程世界

SIHFI840G: 产品描述4.6 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小3MB，共8页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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SIHFI840G概述

4.6 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

4.6 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

	SIHFI840G	SIHFI840G-E3
描述	4.6 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	4.6 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
是否无铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
雪崩能效等级（Eas）	370 mJ	370 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.6 A	4.6 A
最大漏极电流 (ID)	4.6 A	4.6 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω	0.85 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	40 W	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	18 A	18 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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