Power MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 310 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 5.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 23 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
SIHFI740GLC | SIHFI740GLC-E3 | |
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描述 | Power MOSFET | Power MOSFET |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 310 mJ | 310 mJ |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.7 A | 5.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 5.7 A | 5.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω | 0.55 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 23 A | 23 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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