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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHF640L-E3
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SIHF640L-E3

产品描述18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小214KB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHF640L-E3概述

18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA

18 A, 200 V, 0.18 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-262AA

SIHF640L-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）580 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRF640S, SiHF640S, SiHF640L
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
max. (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 10 V
70
13
39
Single
D
FEATURES
200
0.18
•
•
•
•
•
•
•
•
Surface mount
Low-profile through-hole
Available in tape and reel
Available
Dynamic dV/dt rating
150 °C operating temperature
Available
Fast switching
Fully avalanche rated
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK (TO-263)
G
G
G
D
S
D
S
S
N-Channel MOSFET
Note
*
This datasheet provides information about parts that are
RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.
Please see the information / tables in this datasheet for details.
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combinations of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The D
2
PAK is a surface mount power package capable of
accommodating die size up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the last lowest possible
on-resistance in any existing surface mount package. The
D
2
PAK is suitable for high current applications because of
its low internal connection resistance and can dissipate up
to 2.0 W in a typical surface mount application. The
through-hole version (SiHF640L) is available for low-profile
applications.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
Note
a. See device orientation.
D
2
PAK (TO-263)
SiHF640S-GE3
IRF640SPbF
D
2
PAK (TO-263)
SiHF640STRL-GE3
a
IRF640STRLPbF
a
D
2
PAK (TO-263)
SiHF640STRR-GE3
a
IRF640STRRPbF
a
I
2
PAK (TO-262)
SiHF640L-GE3
-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
a, e
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
b, e
Avalanche Current
a
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
GS
at 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
LIMIT
200
± 20
18
11
72
1.0
580
18
13
130
3.1
5.0
-55 to +150
300
UNIT
V
A
W/°C
mJ
A
mJ
W
V/ns
°C
dV/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
c, e
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
for 10 s
Soldering Recommendations (Peak temperature)
d
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 50 V, starting T
J
= 25 °C, L = 2.7 mH, R
g
= 25
,
I
AS
= 18 A (see fig. 12).
c. I
SD
18 A, dI/dt
150 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. Uses IRF640, SiHF640 data and test conditions.
S16-0014-Rev. E, 18-Jan-16
Document Number: 91037
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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描述 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合 不符合 不符合 符合
零件包装代码 TO-262AA TO-262AA D2PAK TO-262AA D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 4 3 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ 580 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-262AA TO-263AB TO-262AA TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 3 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 175 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260 240 240 260 240 240 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 130 W 130 W 130 W 130 W 130 W 130 W 130 W 130 W 130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A 72 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES NO YES YES YES YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 30 30 40 30 30 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 - 不含铅 含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
JESD-609代码 e3 - e3 e0 e0 e3 e0 e0 e3
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
外壳连接 - DRAIN - - DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN

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