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SIHF624

产品描述Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHF624概述

Power MOSFET

SIHF624规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.4 A
最大漏极电流 (ID)4.4 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SIHF624相似产品对比

SIHF624 SIHF624-E3
描述 Power MOSFET Power MOSFET
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ 100 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.4 A 4.4 A
最大漏极电流 (ID) 4.4 A 4.4 A
最大漏源导通电阻 1.1 Ω 1.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 14 A 14 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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