MX29F8100TC-12CY概述

Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48

MX29F8100TC-12CY规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Macronix
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1,
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	12 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

MX29F8100TC-12CY相似产品对比

	MX29F8100TC-12CY	MX29F8100RC-12CY	MX29F8100MC-12CY	MX29F8100TC-15CY	MX29F8100RC-15CY	MX29F8100MC-10CY	MX29F8100MC-15CY	MX29F8100RC-10CY
描述	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-48	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44	Flash, 1MX8, 150ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	Flash, 1MX8, 150ns, PDSO48, 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-48	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44	Flash, 1MX8, 150ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44	Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, REVERSE, TSOP1-48
厂商名称	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	SOIC	TSOP1	TSOP1	SOIC	SOIC	TSOP1
包装说明	TSOP1,	TSOP1-R,	SOP,	TSOP1,	TSOP1-R,	SOP,	SOP,	TSOP1-R,
针数	48	48	44	48	48	44	44	48
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	120 ns	150 ns	150 ns	100 ns	150 ns	100 ns
其他特性	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16	POWER DOWN; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 512K X 16
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.4 mm	18.4 mm	28.49 mm	18.4 mm	18.4 mm	28.49 mm	28.49 mm	18.4 mm
内存密度	8388608 bi	8388608 bi	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	44	48	48	44	44	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1-R	SOP	TSOP1	TSOP1-R	SOP	SOP	TSOP1-R
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3 mm	1.2 mm	1.2 mm	3 mm	3 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12 mm	12 mm	12.6 mm	12 mm	12 mm	12.6 mm	12.6 mm	12 mm

推荐资源

最全电源电路图详解: 用电路元件符号表示电路连接的图，叫电路图。电路图是人们为研究、工程规划的需要，用物理电学标准化的符号绘制的一种表示各元器件组成及器件关系的原理布局图，可以得知组件间的工作原理，为分 ......; 木犯001号电源技术

【FRDM-KW41Z】三：细细梳理，有的放矢，取舍有度: 本帖最后由 watershade 于 2017-7-9 14:11 编辑 FRDM-KW41Z的核心MCU是Freescale这可CM0+内核的MKW41Z512.翻开它的参考手册你会发现是2369页。这个数字让人恐怖。要了解它可能真要下一番功 ......; watershade NXP MCU

MOTO招聘嵌入式软件研发人员: MOTO 现对外招聘嵌入式软件研发人员职位要求: 1.精通C++.熟悉VxWorks/Linux 2.五年以上相关工作经验 3.英语熟练联系方式:helen51918@126.com MSN:houmeiying25@hotmail.com TEL: ......; rainashes 嵌入式系统

重磅出击，PID温度采集工具: 本帖最后由 zhaojun_xf 于 2014-11-5 14:19 编辑最近开发了一款智能电焊台，采用PID算法进行温度控制，并随手设计了一个温度采集工具，现在开源给大家，由于是公司项目并不开放智能 ......; zhaojun_xf stm32/stm8

FPGA、单片机等开发板: 一楼祭天...; the_beast 淘e淘

此电路能否成功提取出2PSK信号中的载波（频率满足要求，方案是否可行？）: file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/08/clip_image002.jpg ...; elec_huangbin 模拟电子

语音识别按识别器对使用者的适应情况分类

有限词汇识别按词汇表中字、词或短句个数的多少，大致分为：100以下为小词汇;100-1000为中词汇;1000以上为大词汇。无限词汇识别(全音节识别) 当识别基元为汉语普通话中对应所有汉字的可读音节时，则称其为全音节语音识别(音节字表：Lexicon)。全音节语音识别是实现无限词汇或中文文本输入的基础。 ...[详细]
家电设计——安全至关重要！

　　我们正进入人类能以更低廉价格拥有更多电子产品的新时代。电子产品已经成为我们生活的必需品。举例来说，普通消费者现在都拥有冰箱、洗衣机、咖啡机等。将分离式IC带来的智能特性集成到电器中，能够改进用户体验，提供电子控制、触摸用户界面和高级显示等功能。这些特性非常有用，而安全性也是消费者关注的重点。没有人希望电器构成安全威胁。　　目前许多家用电器都采用微控制器，如果微控制器出现问题，就可能发生...[详细]
不可错过的stm32单片机直流电机驱动与测速详解

　　stm32直流电机驱动与测速　　说实话就现在的市场应用中stm32已经占到了绝对住到的地位，51已经成为过去式，32的功能更加强大，虽然相应的难度有所增加，但是依然阻止不了大家学习32的脚步，不说大话了这些大家都懂要不然也不会学习stm32的人那么多!!! 　　进入我们今天的主题，今天给大家介绍的是stm32中一个很小但是比较实用的stm32直流电机驱动与测速，话不多说先给大家上一段直流电...[详细]
单片机开发过程中使用结构体简化程序

首先，作为刚入行不久的新人，我在单片机开发这块并没有太多的经验，所以可能在写一些相关的文档的时候存在一些错误，希望大家多多包含！也希望各位不吝赐教，指点迷津！好记性不如烂笔头，之所以选择开通博客是因为我想把自己在工作和学习过程中碰到的一些问题以及疑惑记录下来，同时积极地定位问题的源头以及寻求解决方案，或许在碰到相同的问题时就能很快地解决。同时在博客上也可以学习到很多工程师长期积累的经验，分享自...[详细]
Keil5 STM32 C++开发 ARM V6编译器的使用教程

　　Keil5更新之后，开始支持ARM V6编译器，新版本的编译器对C++有了更多的支持，在编译方面也做了很多的改善，具体的没有详细了解，本文只是对STM32 开发下，使用V6版本的编译器进行STM32的C++开发作一个记录，方便和大家交流和参考。至于说为什么STM32要C++开发，这个没有解释，只是个人觉得C++比C有更多的方便，使得编程更加的容易，C++有更多的生态.... 　　开始上教程：...[详细]
工艺的选择很重要，辊压机轴承位磨损现场修复的完整流程

在辊压机轴承位磨损的故障处理中，常见的办法一般有补焊工艺、热喷涂工艺、电刷镀工艺以及报废更换等，考虑到方便快捷因素，上述办法都受到拆装及运输成本的制约，修复时间较长，在对停机时间有要求的场合下不占优势。下面介绍的是一种在线快速修复辊压机轴头磨损的方法，可以在短时间内快速解决问题，为企业节省停机停产时间。现场情况说明某车间合肥院辊压机轴承运行期间出现轴承温度过高，螺栓断裂，停机拆卸后发现轴承...[详细]
电动汽车跑高速对于续航会有什么影响

随着电动汽车续航里程不断的提高，驾驶电动汽车长途出行已然成为一种趋势，对于高速出行来说，电动汽车在跑高速续航会有多少影响呢？说到高速行驶的时候会有什么影响，对于电动汽车来说，行驶速度和耗电速度是成正相关的。同时也和电机和电池有关，首先从电动汽车的电机来说起，根据电机的特征来说，电机是直接进行动力输出，在高速行驶的时候车速提升的较快，而这个时候就需要车辆的电机来提高车辆的转速，因此高的转速自...[详细]
全国最大高速充电站投运：108台快充桩，40台超充桩“一秒一公里”

8月18日，我国最大规模的高速公路充电站 ——G25长深高速桐庐服务区（南区）光储充一体化智慧充电站正式建成投运。该充电站共设有108台大功率新能源车快充桩，其中包括40台超级充电桩，单桩最高功率可达600kW，实现了“一秒一公里”的充电速度。该服务区的充电桩采用了光伏发电、梯次储能、液冷超充直流快充等先进技术，并借助智能管理系统实现光伏储能与新能源车充电的统一管理与调度。此外，车棚上大...[详细]
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计

Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术，加速开发十亿门级 AI 设计 Cadence 全新 Palladium Dynamic Power Analysis 应用程序助力 AI/ML 芯片和系统设计工程师打造高能效设计，缩短产品上市时间中国上海，2025 年 8 月 20 日 —— 楷登电子（美国 Cadence 公司，）近日宣布，通过与 NVIDIA 的紧密合作，公司...[详细]
干货 | LS1028A-C如何输出PWM方波？

最近，我收到了一个使用OK1028A-C输出pwm方波的需求.但是发现OK1028平台没有相关的说明，于是我着手写下了这篇文章。在查阅OK1028A-C原理图和《QorIQ LS1028A Reference Manual》后得知，LS1028默认有8个FlexTimer (FTM) ，每个FTM有8路pwm。默认背光采用的是FTM1产生的pwm，我们使用FTM7做pwm测试。如下图...[详细]
华为余承东演示鸿蒙智行空气悬架：语音控制自动调节底盘高度

8月19日，华为常务董事、终端BG董事长余承东在微博分享了与尊界S800车主的交流经历。车主从北京出发，已行驶5000多公里，却不知如何调节底盘高度。余承东亲自上车演示，并提醒鸿蒙智行车主，只要车上带空气悬架，野外自驾时可以和小艺说“升高底盘”，空气悬架就会自动调节到所需高度，脱困时也可以抬升底盘高度。尊界汽车官方微博8月13日发布了尊界S800汽车的8月OTA体验升级亮点，其中提到新版本新增...[详细]
基于可靠性和成本问题如何选择不同的远程抄表方案？

“远程抄表”从字面看来，重点是远程上，远程到底有多远？一公里？两公里？这都不算远，目前的抄表距离最远达百公里以上。这么远的距离就需要考虑传输的可靠性和成本的问题。目前市面上形形色色的抄表中，如何基于这两点考虑来选择各种不同的远程抄表方案呢？本文将为您详细讲解。下图为常见的几种抄表方式： 485方式：这种4线制抄表方式很早就开始使用了，传输距离一般在1~2km以下为最佳，如果超过距离加...[详细]
使用德州仪器产品简化机器人电机驱动器安全评估

随着系统在工业环境中的应用越来越广泛，行业安全要求以及国家/地区和国际安全法规需要不断更新，确保人类在靠近机器的位置工作时拥有安全的环境。功能安全评估可以证明器件满足安全要求，确保产品能够负责任地被推向市场。安全评估可能是一个漫长的过程，会延迟产品上市时间并增加产品的总体设计成本。本文旨在介绍如何简化评估流程，以面向自主移动机器人 (AMR)的为例，介绍了在选择合适的器件、满足安全要求并...[详细]
印度大局扩张半导体产业，新批准四个制造项目

印度政府近期在 “印度半导体使命”（ISM）框架下，批准了四个新的半导体制造项目，这些项目分布在奥里萨邦、旁遮普邦和安得拉邦三个邦，总投资达 5.5 亿美元（约合印度卢比 459.4 亿）。随着这一轮项目的获批，ISM 支持的项目总数已增至 10 个，在六个邦的累计投资达 191.5 亿美元，为印度半导体产业的发展注入了强劲动力。此次获批的项目由 SiCSem、大陆设备印度有限公司（CDI...[详细]
东京科技大学开发准固体电解质以实现更安全、更环保的锂离子电池

3D-SLISE是由东京科学大学（Institute of Science Tokyo）开发的一种准固态电解质，能够在常温常压下制造出安全、快速充放电的2.35 V锂离子电池。该技术采用不含易燃有机溶剂的原材料，节能高效，无需干燥室或高温处理。此外，它还允许通过水分散直接回收活性物质，确保电池生产采用可持续、可回收的方式。图片来源：东京科学大学在当今便携式电源和清洁能源时代，锂离...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多