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RN2307

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小168KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2307概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN2307规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2307~RN2309
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2307,RN2308,RN2309
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN1307~RN1309
Unit: mm
Equivalent Circuit
Bias Resistor Values
Type No.
RN2307
RN2308
RN2309
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
SC-70
2-2E1A
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2307
Emitter-base voltage
RN2308
RN2309
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−100
100
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
1
2001-06-07
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求解他的补偿原理是什么样的 ...
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