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SI6983DQ

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI6983DQ概述

Transistor

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Si6983DQ
New Product
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(Ω)
0.024 at V
GS
= - 4.5 V
- 20
0.030 at V
GS
= - 2.5 V
0.042 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 5.4
- 4.8
- 4.0
FEATURES
• TrenchFET
®
Power MOSFET
Pb-free
APPLICATIONS
• Load Switch
• Battery Switch
Available
RoHS*
COMPLIANT
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si6983DQ-T1
Si6983DQ-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.0
1.14
0.73
- 55 to 150
- 5.4
- 4.3
- 30
- 0.7
0.83
0.53
W
°C
10 sec
±8
- 4.6
- 3.7
A
Steady State
- 20
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
t
10 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
86
124
52
Maximum
110
150
65
°C/W
Unit
Document Number: 72367
S-60774-Rev. C, 08-May-06
www.vishay.com
1

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