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SI5406DC

产品描述N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI5406DC概述

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI5406DC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明1206-8, CHIPFET-8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)6.9 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-C8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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