P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compli |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.3 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
| 表面贴装 | YES |
| SI4403BDY | SI4403BDY-T1 | |
|---|---|---|
| 描述 | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| Reach Compliance Code | compli | unknow |
| 配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7.3 A | 7.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.3 A | 7.3 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | 2.5 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
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