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SI4392DY

产品描述N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET®
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4392DY概述

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET®

SI4392DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)12.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si4392DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching WFET
®
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
r
DS(on)
(Ω)
0.00975 at V
GS
= 10 V
0.01375 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
12.5
10.0
FEATURES
• Extremely Low Q
gd
WFET Technology for
Switching Losses
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 100 % R
g
Tested
Available
RoHS*
COMPLIANT
APPLICATIONS
• High-Side DC/DC Conversion
- Notebook
- Server
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
S
Ordering Information:
Si4392DY-T1
Si4392DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
N-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
a
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
Limits
30
± 20
12.5
10
50
2.7
30
45
3.0
1.9
- 55 to 150
mJ
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
a
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board, t
10 sec.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
16
Maximum
42
20
Unit
°C/W
Document Number: 72151
S-61013-Rev. E, 12-Jun-06
www.vishay.com
1

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描述 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET® N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET®

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