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SI3850DV

产品描述Specification Comparison
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3850DV概述

Specification Comparison

SI3850DV规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Specification Comparison
Vishay Siliconix
Si3850ADV vs. Si3850DV
Description:
Package:
Pin Out:
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
TSOP-6
Identical
Part Number Replacements
Si3850ADV-T1-E3 Replaces Si3850DV-T1-E3
Si3850ADV-T1-E3 Replaces Si3850DV-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T
A
= 25 °C
Continuous Drain Current
T
A
= 70 °C
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current
(MOSFET Diode Conduction)
Power Dissipation
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
DM
I
S
P
D
T
j
and T
stg
R
thJA
I
D
V
DS
V
GS
Symbol
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
Si3850ADV
20
- 20
± 12
± 12
1.4
- 0.96
1.1
- 0.77
3.5
- 2.0
0.9
- 0.9
1.08
0.7
- 55 to 150
115
Si3580DV
20
- 20
± 12
± 12
1.2
- 0.85
0.95
- 0.65
3.5
- 2.5
1
-1
1.25
0.8
- 55 to 150
100
W
°C
°C/W
A
V
Unit
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Junction-to-Ambient
Document Number: 73853
Revision: 31-Oct-06
www.vishay.com
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