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SI3455DV

产品描述3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3455DV概述

3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

3600 mA, 30 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管

SI3455DV规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si3455DV
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
−30
30
FEATURES
I
D
(A)
"3.5
"2.5
r
DS(on)
(W)
0.100 @ V
GS
=
−10
V
0.190 @ V
GS
=
−4.5
V
D
TrenchFETr Power MOSFET
D
Lead (Pb)-Free Version is RoHS
Compliant
Available
(4) S
TSOP-6
Top View
1
3 mm
6
5
(3) G
2
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
2.85 mm
Ordering Information: Si3455DV-T1
Si3455DV-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Symbol
V
DS
V
GS
Limit
−30
"20
"3.5
"2.7
"20
−1.7
2.0
1.3
−55
to 150
Unit
V
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board, t
v
5 sec.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.Siliconix.com/www/product/spice.htm
Document Number: 70194
S-50694—Rev. E, 18-Apr-05
www.vishay.com
Symbol
R
thJA
Limit
62.5
Unit
_C/W
1

SI3455DV相似产品对比

SI3455DV SI3455DV_05
描述 3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 3600 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
表面贴装 YES Yes

 
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