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SI3433

产品描述P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3433概述

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

SI3433规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON

SI3433相似产品对比

SI3433 SI3433DV
描述 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TSOP TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
Reach Compliance Code unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 4.3 A 4.3 A
最大漏源导通电阻 0.042 Ω 0.042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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