Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1302

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RN1302: 产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小248KB，共7页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN1302概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1302规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz

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RN1301~RN1306

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1301,RN1302,RN1303

RN1304,RN1305,RN1306

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

With built-in bias resistors.

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2301~RN2306

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1301

RN1302

RN1303

RN1304

RN1305

RN1306

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1301~1306

RN1301~1304

RN1305, 1306

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

100

150

−55~150

JEDEC

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 0.006g

―

SC-70

2-2E1A

Unit

°C

2001-06-07

RN1302相似产品对比

	RN1302	RN1304
描述	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
零件包装代码	SC-70	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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