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SD263C30S50L

产品描述375 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小215KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SD263C30S50L概述

375 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB

SD263C30S50L规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-200AB
包装说明ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2
针数2
制造商包装代码B-PUK
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3.2 V
JEDEC-95代码DO-200AB
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流5760 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流375 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3000 V
最大反向恢复时间5 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SD263C30S50L相似产品对比

SD263C30S50L SD263C30S50L_12 SD263C36S50L SD263C40S50L SD263C45S50L
描述 375 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB 375 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB 375 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB 375 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB 375 A, 4500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-200AB - DO-200AB DO-200AB DO-200AB
包装说明 ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2 - ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2 ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2 ROHS COMPLIANT, CERAMIC, BPUK-2
针数 2 - 2 2 2
制造商包装代码 B-PUK - B-PUK B-PUK B-PUK
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE - FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用 HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY - HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 3.2 V - 3.2 V 3.2 V 3.2 V
JEDEC-95代码 DO-200AB - DO-200AB DO-200AB DO-200AB
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 - O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 5760 A - 5760 A 5760 A 5760 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 375 A - 375 A 375 A 375 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON - DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3000 V - 3600 V 4000 V 4500 V
最大反向恢复时间 5 µs - 5 µs 5 µs 5 µs
表面贴装 YES - YES YES YES
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END - END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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